Promotion im Bereich Prozesstechnologie - neuartige digitale III-V-Halbleiterkonzepte

Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenzschaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. Die Anforderungen an zukünftige digitale Systeme wachsen rasant: Höhere Bitraten und steigende Leistungsfähigkeit erfordern neue Halbleiterkonzepte. Eine Schlüsseltechnologie hierfür sind skalierte High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) auf Gallium-Nitrid-Basis (GaN), die neue Möglichkeiten für digitale Höchstfrequenzschaltungen und leistungsfähige Verstärker eröffnen. Im Rahmen dieser Promotion erforschen Sie innovative GaN-HEMT-Technologien und leisten einen Beitrag zur Entwicklung der nächsten Generation digitaler III-V-Halbleiterbauelemente. Ziel Ihrer wissenschaftlichen Arbeit ist es, ein tiefes qualitatives und quantitatives Verständnis neuartiger Prozessmodule – insbesondere in den Bereichen Ätztechnologie, Lithografie, Epitaxie und Bauelemententwicklung – zu gewinnen und diese gezielt weiterzuentwickeln. Hier sorgen Sie für Veränderung Sie entwickeln und betreiben Prozessierungsverfahren in einer fortgeschrittenen Reinraumumgebung und unterstützen die Epitaxie sowie die Simulation neuartiger Halbleiterbauelemente. Dabei beschäftigen Sie sich unter anderem mit GaN-HEMT-Bauelementen, digitalen Grundschaltungen sowie deren Integration in komplexe Verstärkersysteme. Gemeinsam mit Ihren Kolleg*innen entwickeln Sie skalierte Prozessmodule weiter und optimieren deren Abläufe und Funktionalität. Ihre Arbeit ist in spannende nationale und internationale Forschungsprojekte eingebunden, in denen Sie mit Partnern aus Wissenschaft und Industrie zusammenarbeiten. Hiermit bringen Sie sich ein Erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master oder Diplom) in Physik, Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik oder einer vergleichbaren Fachrichtung Grundlegende Kenntnisse im Bereich der Halbleiterbauelemente, Festkörperphysik oder Mikro- und Nanotechnologie sowie Interesse an elektronischen Halbleiterbauelementen, deren Prozesstechnologie oder Epitaxie Idealerweise erste praktische Erfahrung in der Reinraumprozessierung oder der III-V-Halbleitertechnologie Selbstständige, strukturierte und wissenschaftliche Arbeitsweise sowie die Fähigkeit, sich schnell in neue Fragestellungen einzuarbeiten Sehr gute Deutschkenntnisse sowie gute Englischkenntnisse für die Zusammenarbeit in einem internationalen Umfeld Team- und Kommunikationsfähigkeit sowie Freude an experimenteller Forschungsarbeit Was wir für Sie bereithalten Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette Möglichkeit zur Spezialisierung und zum interdisziplinären Arbeiten durch breit gefächerte Forschungsbereiche Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie Persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), Zuschuss zum Deutschland-Ticket/Jobticket sowie vielfältige Gesundheitsangebote (z.B. Pilates) Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (Mit-Kind-Büro, die Möglichkeit zum mobilen Arbeiten u.a.) Kostenloses Parkhaus mit E-Ladestationen sowie Frelo-Station (Fahrradverleihsystem) und Bushaltestelle direkt am Institut Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – für Bewerber*innen mit Behinderung suchen wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern. Weitere barrierefreie Informationen finden Sie hier: Arbeiten mit Behinderung am Fraunhofer IAF Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Die Stelle ist zunächst auf zwei Jahre befristet. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen basieren auf dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD). Zusätzlich kann Fraunhofer leistungs- und erfolgsabhängige variable Vergütungsbestandteile gewähren. Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft. Bereit für Veränderung? Dann bewerben Sie sich jetzt, und machen Sie einen Unterschied! Nach Eingang Ihrer Online-Bewerbung erhalten Sie eine automatische Empfangsbestätigung. Dann melden wir uns schnellstmöglich und sagen Ihnen, wie es weitergeht. Sie haben Fragen zur Stelle, zum Bewerbungsablauf oder zur Barrierefreiheit? Sie brauchen Unterstützung? Unsere Recruiterin Kathrin Escher ist für Sie da: +49 761 5159-374 Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF Kennziffer: 85252 Bewerbungsfrist: